[工學(공학) ] LCD 스퍼터링[sputtering]에 관하여
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작성일 20-12-03 19:24
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보통 스퍼터링에는 양의 이온이 많이 사용되는데, 그 이유는 양의 이온은 전장(electric field)을 인가해 줌으로써 가속하기가 쉽고 또한 target에 충돌하기 직전 target에서 방출되는 Auger전자에 의하여 중성화되어 중성 원자로 target에 충돌하기 때문일것이다
( 1 ) 이온과 고체 표면과의 反應 이온이 고체 표면에 충돌할 경우 다음과 같은 현상이 일어난다.
보통 스퍼터링에는 양의 이온이 많이 사용되는데, 그 이유는 양의 이온은 전장(electric field)을 인가해 줌으로써 가속하기가 쉽고 또한 target에 충돌하기 직전 target에서 방출되는 Auger전자에 의하여 중성화되어 중성 원자로 target에 충돌하기 때문일것이다
( 1 ) 이온과 고체 ...
LCD 스퍼터링(sputtering)
1. 스퍼터링의 원리
스퍼터링(sputtering) 현상은 1852년 Grove에 의하여 처음 발견되었으며[3], 현재는
여러 가지 박막의 형성에 광범위하게 사용되어지고 있다 스퍼터링(sputtering)은 높은에너지(] 30 eV)를 가진 입자들이 target에 충돌하여 target 원자들에게 에너지를 전달해줌으로써 target원자들이 방출되는 현상이다. 만일 충돌하는 입자들이 양의 이온(positive -ion)이라면 cathodic sputtering이라고 부르는데, 대부분의 스퍼터링은 cathodic sputtering이다. 이러한 Ion Scattering Spectroscopy에 이용된다된다.
① 이온 반사
이온이 고체 표면에 충돌하여 중성화(neutr alization)된 후, 반사(reflection)되는 경우다. Ion Scattering Spectroscopy는 표면층에 대한 정보 및 이온과 표면간의 상호 작용에 관한 많은 정보를 제공한다.
③ 이온 주입
고체 표면에 도착한 이온이 고체 내부에 묻히는 경우이다.
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LCD 스퍼터링(sputtering)
1. 스퍼터링의 원리
스퍼터링(sputtering) 현상은 1852년 Grove에 의하여 처음 발견되었으며[3], 현재는
여러 가지 박막의 형성에 광범위하게 사용되어지고 있다 스퍼터링(sputtering)은 높은에너지(` 30 eV)를 가진 입자들이 target에 충돌하여 target 원자들에게 에너지를 전달해줌으로써 target원자들이 방출되는 현상이다. 이온 주입은 실리콘 웨이퍼(Si wafer)를 이용한 집적 회로 형성시 부분적인 도핑(doping)에 널리 이용된다된다. 이러한 현상을 이온 주입(ion implantation)이라 한다.
② 전자 방출
이온의 충돌로 인하여 고체의 표면에서 전자가 방출되는 경우이며, 이런 전자를 2차 전자(secondary electron)이라고 한다. 만일 충돌하는 입자들이 양의 이온(positive -ion)이라면 cathodic sputtering이라고 부르는데, 대부분의 스퍼터링은 cathodic sputtering이다. 또한 강(steel) 등의 표면 처리(surf…(To be continued )
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