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[전자회로실험] NMOS 증폭기 결과

페이지 정보

작성일 21-10-05 00:13

본문

다.
실험.NMOS 증폭기 1.Orcad 결과 <공통 - 소스 증폭기> 1) 입력 및 출력 전압 파형 -회로-

실험.NMOS 증폭기
오실로스코프의 프로브를 전용 프로브를 사용하지 않아서 처음에 파형이 나오지 않았고, 프로브에서 X1로 해야하는데 X10으로 놓고 했더니 파형이 나오질 않았다. 다음부터는 이런 실수를 하지 않을 것이다.

→ Ro = Vt / it = 0.992Ω

1) 전압 이득 구하기
전자회로실험,NMOS 증폭기 결과
→ Ri = Vi / ii = 47.272kΩ

<공통 - 드레인 증폭기>
→ Av = Vo(peak) / Vi(peak) = 420 mV / 520 mV = 0.807 V
<공통 - 소스 증폭기>
→ ii = 0.008mA (rms) * =0.011mA
4. 고찰

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1.Orcad 결과
설명

→ Vi = 520mV

순서
측정(測定) 하는 實驗 이었다. → it = 0.371mA (rms) * = 0.524mA

1) 입력 및 출력 전압 파형

實驗을 하면서 증폭기가 어디에 사용 되는지에 대하여 배울 수 있던 좋은 경험이었다. 조교 선생님께 물어봐서 해결 할 수 있었다.

레포트 > 자연과학계열

NMOS 증폭기의 공통-소스 증폭기, 공통 - 게이트 증폭기, 공통 - 드레인 증폭기의 特性에 대한 입,출력 전압 파형 측정(測定) 및 입력 저항과 출력 저항을

3) 출력 저항 구하기
-회로-

→ Vt = 520mV

實驗 할 당시에 회로를 꾸미고 오실로스코프로 파형을 측정(測定) 하려고 할 때
2) 입력 저항 구하기

이번 實驗은 NMOS 증폭기에 대한 實驗이었다.
[전자회로실험] NMOS 증폭기 결과
증폭기의 特性에 따라서 증폭도의 차이가 다소 있음을 알 수 있었고 實驗 값들이 이론(理論) 값에 비해 그리 크지 않은 차이를 나타내었다.

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