實驗9결과보고서. MOSFET 소스 공통 증폭기
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작성일 19-12-27 19:20
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이를 통 하여 게이트 전압 에 제어 될 때, property(특성)곡선이 어떻게 되는지 알아보는 實驗(실험)이 다.實驗9결과보고서. MOSFET 소스 공통 증폭기
실험결과/기타
`實驗(실험) 9. MOSFET 소스 공통 증폭기`
결과보고서
Ⅰ. 實驗(실험) 목적
1. MOSFET의 드레인(drain)property(특성)을 實驗(실험)적으로 결정한다.
2. FET 증폭기에 대한 바이어스 방식을 공부한다.
VDS, V
ID, mA
0
1
3
5
7
9
11
13
15
VGS, V
-0.8
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-0.7
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-0.6
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-0.5
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-0.4
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-0.3
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-0.2
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
0.xxx
-…(To be continued )
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설명
實驗9결과보고서. MOSFET 소스 공통 증폭기
실험,MOSFET,소스,공통,증폭기,기타,실험결과
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순서
다.
Ⅱ. 實驗(실험) 결과 및 analysis
드레인 property(특성)(게이트 제어) 實驗(실험)은 아래와 같은 회로를 구성하고 게이트 전압가 -0.8V~0.8V로 변할 때, 를 0V~15V로 變化(변화)시키면서 드레인 전류 를 측정(測定) 한다.
2. FET 증폭기에 대한 바이어스 방식을 공부한다.
3. MOSFET 소스 공통 증폭기의 전압 이득을 측정(測定) 한다. 이를 통 하여 게이트 전압 에 제어 될 때, property(특성)곡선이 어떻게 되는지 알아보는 實驗(실험)이 다.
아래의 오른쪽 그래프는 Pspice를 통해 얻은 드레인 property(특성)곡선 그래프이다.
VDS, V
ID, mA
0
1
3
5
7
9
11
...
`實驗(실험) 9. MOSFET 소스 공통 증폭기`
결과보고서
Ⅰ. 實驗(실험) 목적
1. MOSFET의 드레인(drain)property(특성)을 實驗(실험)적으로 결정한다.
3. MOSFET 소스 공통 증폭기의 전압 이득을 측정(測定) 한다.
아래의 오른쪽 그래프는 Pspice를 통해 얻은 드레인 property(특성)곡선 그래프이다.
Ⅱ. 實驗(실험) 결과 및 analysis
드레인 property(특성)(게이트 제어) 實驗(실험)은 아래와 같은 회로를 구성하고 게이트 전압가 -0.8V~0.8V로 변할 때, 를 0V~15V로 變化(변화)시키면서 드레인 전류 를 측정(測定) 한다.
實驗(실험)한 결과를 아래의 표로 정리(arrangement)하고, 이를 이용하여 property(특성)곡선을 그려보았다.
實驗(실험)한 결과를 아래의 표로 정리(arrangement)하고, 이를 이용하여 property(특성)곡선을 그려보았다.
