[전자회로]MOSFET의 특성實驗 보고서입니다.
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작성일 19-02-03 22:22
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(3)공핍형 MOSFET의 전달property(특성)
앞절에서 기술한 바와 같이 공핍형 MOSFET은 양 혹은 음의 게이트 전압으로 동작한다.
그림 13.-7에 증가형 MOSFET의 전달 property(특성)곡선을 나타내었으며 ID와 VGS사이의
수학적인 관계는 다음과 같이 주어진다..hwp( 75 )
다.
그림 13-4에 n채널 E-MOSFET의 기본구조를 나타내었다.
ID=IDSS(1- VGS/VGS(off))₂ (13.1)
(4)증가형 MOSFET의 전달property(특성)
증가형 MOSFET은 단지 채널의 증가만을 이용하기 때문에 n채널소자는 양의 게이트-소스전압을 필요로 하고 p채널 소자는 음의 게이트-소스 전압을 필요로한다. 여기에서 기판이 SIO2층까지 완전히 확장되어 채널이 만들어져 있지 않음에 주목하라.
그림 13-5에 n채널 E-MOSFET의 채널 형성과정에 대해 도시하였다.
ID=K(VGS-VGS(th))₂ (13.2)
13.3 test(실험) 기기 및 부품
▶D-MOSFET 2N3796
▶E-MOSFET 2N7008
▶저항 620Ω
▶전원공급기
▶오실로스코프
▶디지털 멀티미터
13.4 웹기반 가상test(실험) 학습실
13.5 test(실험) 방법
13.5.1 공핍형 MOSFET의 드레인 property(특성)곡선 test(실험)
(1)그림 13-10의 회로를 구성하라.
(2)VGG, VDD를 변화 시키면서 그 때의 ID를 측정(measurement)하여 표 13-1을 완성하라.
(3)VGS값을 0.5V씩 증가시키면서 (2)의 과정을 반복하라.
13.5.2증가형 MOSFET의 드레인 property(특성)곡선 test(실험)
(1)그림 13-10의 회로에서 2N7008로 대체하라.
(2)VGG, VDD를 변화시키면서 그때의 ID를 측정(measurement)하여 표 13-2를 완성하라.
(3)VGS값을 0.5V씩 증가 시키면서 (2)의 과정을 반복하라.
13.5.3 공핍형 MOSFET의 전달 property(특성)곡선 test(실험)
(1)그림 13-11의 회로를 구성하라.
(2)VDD=18V, VGG=-9V로 조정하라.
(3)VDD=18V로 유지하면서 VGS값의 변화에 따른 ID를 측정(measurement)하여 표 13-3을 완성하라.
13.5.4 증가형 MOSFET의 전달 property(특성)곡선 test(실험)
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