트렌지스터와 mosfet의 차이점 리포트
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작성일 19-06-16 08:22
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transistor(트랜지스터) 의 전원 연결은 이미터 쪽에 그려진 화살표 방향으로 전류의 방향이 되도록 연결한다. 기본적으로 PN접합이 양쪽에 있는 형태이므로 다이오드에서와 같이 접합면에서 전자의 확산에 의해 공핍층이 생기고 결과로 공핍층 전기장이 생겨 더 이상의 전자의 확산을 막게 된다
베이스와 이미터 간에 전원이 없이 연결된 상태에서는 베이스와 이미터가 같은 전위이므로 전류가 흐르지 않는다. E(emitter)로 표시되는 이미터에서는 총 전류가 흐르게 되고 얇은 막으로 된 베이스(B; base)가 전류흐름을 제어하며 증폭된 신호가 컬렉터(C; collector)로 흐르게 된다 접합의 순서에 따라 PNP형 혹은 NPN형 transistor(트랜지스터) 라 명명한다. NPN형인 경우 전류는 이미터 쪽으로 흐르고 PNP형인 경우 이미터에서 나가는 방향으로 전류가 흐른다.
순서
레포트/공학기술
transistor(트랜지스터) 와 MOSFET의 차이점
(예비 Report)
과목:
담당교수:
학번:
이름:
1.transistor(트랜지스터)
transistor(트랜지스터) 는 규소나 저마늄으로 만들어진 P형반도체와 N형반도체를 세 개의 층으로 접합하여 만들어진다. 이를 전자회로의 기호표기에서 전류방향을 화살표로 나타낸다. 베이스 간에 전원에 의한 전기장 방향(+에서 -전압방향)이 공핍층 전기장 방향과 같은 역방향 바이어스이므로 전류가 흐르지 않는다. 그런데 베이스와 이미터 간에 공핍층 전기장에 반대방향의 순방향 전원을 연결하면 전자가 움직이게 된다
한편, 베이스와 컬렉터 사이에는 공핍층과 같은 방향의 역방향…(생략(省略))
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