다이오드 特性 실험
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작성일 19-01-01 21:27
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7) 항복 현상
접합 근처의 중성 영역에서 열생성된 소수 캐리어가 역방향 전압에 …(skip) 끌려 다른 쪽의 중성영역으로 흘러 들어가다가 결정 격자와 충돌하여 결정 격자를 이온화 시키고 이 이온화에 의해 새로이 생성된 한 쌍의 캐리어가 연쇄 작용에 의해 캐리어를 증배시키는 현상을 애벌랜치 효능라 한다.
9) 다이오드의 特性(특성) 곡선
다이오드 양단 전압과 다이오드에 흐르는 전류를 측정(測定) 하면 特性(특성) 곡선을 그리는데 필요한 전류와 전압을 구할 수 있고, 대응하는 전류와 전압을 도표상에 기입하면 다이오드 전압대 다이오드 전류의 그래프, 즉 다이오드의 特性(특성) 곡선을 얻을수 있따
10) 문턱전압
다이오드의 特性(특성) 곡선을 보면 처음 전압이 십분의 수 볼트까지는 전류가 거의 흐르지 않다가 전압이 0.7V에 가까워지면 전류가 갑자기 증가하기 처음 하는데 이는 많은 자유 전자가 접합을 넘어가기 때문일것이다 이렇게 전류가 갑자기 증가하기 처음 하는 전압을 다이오드의 문턱 전압 라 한다.
11) 다이오드의 전류
다이오드 전류는 아래와 같이 수학적으로 온도()와 인가 바이어스 전압()에 관계되고, 이것은 조체 물리학을 이용하여 증명할 수 있따
11-1.2 實驗(실험)결과
전류
입력전압
Ge Diode
Si Diode
순방향[IF]
역방향[IR]
순방향[IF]
역방향[IR]
1V
0.6
0
0.2
0
2V
1.5
0
1.2
0
3V
2.4
0
2.2
0
4V
3.3
0
3.2
0
5V
4.2
0
4.2
0
6V
5.2
0
5.3
0
7V
6.2
0
6.3
0
8V
7.1
0
7.3
0
11-1.3 고찰
이 實驗(실험)의 목적은 다이오드의 特性(특성)과 문턱 전압을 알아보는 것이라고 생각한다.
5)역포화 전류
열 에너지에 의하여 생성된 자유 전자와 정공의 쌍이 역방향 바이어스에 끌려 접합을 넘어 가면서 외부 회로에는 미소 전류가 흐르는데 이 역방향 전류를 역포화 전류라 하며 로 표기한다. 이 때 p형과 n형 사이의 경계를 pn 접합 이라 한다. 그 결과 페르미 준위가 일치함과 동시에 전도대, 가전자대가 일치하지 않아 전위 장벽이 생기고, 캐리어는 전위 장벽을 넘을 수 없어 새로운 평형 상태에 도달한다. diode라는 단어는 두 전극(two electrodes)이 라는 단어를 축소한 것으로 p측을 양극, n측을 음극이라 부른다. n형 측의 전자의 에너지는 만큼 내려가므로 전위장벽은 오히려 만큼 증가한다. 역방향 바이어스 영역에서 역포화 전류 는 온도 alteration(변화) 가 10마다 크기가 거의 2배가 된다는 것이 實驗(실험)적으로 구하여지고 있따
6) 표면누설 전류
다이오드를 역방향으로 바이어스하면 역포화 전류 외에 또 다른 전류 즉, 결정의(定義) 표면을 흐르는 미소전류 가 있따 이 전류는 표면의 불순물과 결정구조의 결함 때문에 생기는 것으로 역방향 전압에 직접 비례한다.
순서
11-1.1 주제 : 다이오드란
1) pn 접합
실리콘 결정의(定義) 반은 p형 그리고 나머지 반은 n형이 되도록 도핑하면 새로운 성질이 나타난다. n형 측의 전자의 에너지는 만큼 올라가므로 전위장벽은 오히려 로 낮아진다.
3) 순방향 바이어스
전지의 양(+)의 단자를 p형 반도체에, 음(-)의 단자를 n형 반도체에 접속하는 것을 순방향 바이어스라 한다.
2) 재평형 상태
과잉 전자, 정공의 확산이 일어나고 확산에 의한 전위의 기울기 즉 전계의 발생으로 인한 드리프트 전류가 흘러 확산 전류를 상쇄시킨다. 다이오드 기호는 p측에서 n측으로 즉, 양극에서 음극으로 향하는 화살표와 같다.
8) 다이오드
pn 접합을 디바이스화 한 것이다. 이 결과 평형이 깨어져 다수 캐리어에 의한 확산전류가 증대하게 된다
4) 역방향 바이어스
전지의 음(-)의 단자를 p형 반도체에, 양(+)의 단자를 n형 반도체에 접속하는 것을 역방향 바이어스라 한다. Si 다이오드와 Ge
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실험결과/기타
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설명
다. 이 결과 확산전류는 완전히 차단되고 빛이나 열에너지를 받아 생성된 소수 캐리어에 의한 역포화 전류 만이 흐른다.
