[공학] 전자회로 - [bjt]바이폴라 트랜지스터의 원리
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작성일 20-07-29 00:04본문
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B-E와 B-C는 저항값의 크기로 구분 가능하다. 필요한 경우에, 반도체를 판단하는데 옴미터를 사용할 수도 있다
E1.1 디바이스 전류의 안정화(npn)
目標(목표) : 효율적이면서 …(skip)
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설명
순서
실험결과/기타
전자회로 - 바이폴라 transistor의 원리
1. 實驗주제
바이폴라 transistor의 원리
2. 實驗 目標(목표)
npn 바이폴라 transistor의 characteristic(특성) 이해
3. 부품과 實驗장치
① transistor : 2N2222 npn 또는 2N3904 npn 2개
② 저항 : 100Ω(1), 1㏀(1), 10㏀(4), 100㏀(1), 10㏀가변저항(1)
③ DVM
④ 전원장치
⑤ 2 채널 오실로스코프
⑥ 파형 발생기
⑦ 저항에서의 전압강하를 측정(measurement)하여 간접적으로 전류를 구할 예정이므로, 정확한 전류 계산을 위해서 사용 전에 저항값을 측정(measurement)해 놓기 바람
2n3904와 2N3906은 상보형 쌍(npn -pnp pair)이다
그림 4.1 BJT 기본적인 도식도
4. 實驗 절차 및 결과
저항계를 사용한 바이폴라 transistor의 단자 확인
0.7V보다 큰 내부 전압원을 갖는 저항계를 이용하면 transistor의 단자를 확인할 수 있다 저항계는 극성을 갖고 있으므로 ...
전자회로 - 바이폴라 transistor의 원리
1. 實驗주제
바이폴라 transistor의 원리
2. 實驗 目標(목표)
npn 바이폴라 transistor의 characteristic(특성) 이해
3. 부품과 實驗장치
① transistor : 2N2222 npn 또는 2N3904 npn 2개
② 저항 : 100Ω(1), 1㏀(1), 10㏀(4), 100㏀(1), 10㏀가변저항(1)
③ DVM
④ 전원장치
⑤ 2 채널 오실로스코프
⑥ 파형 발생기
⑦ 저항에서의 전압강하를 측정(measurement)하여 간접적으로 전류를 구할 예정이므로, 정확한 전류 계산을 위해서 사용 전에 저항값을 측정(measurement)해 놓기 바람
2n3904와 2N3906은 상보형 쌍(npn -pnp pair)이다
그림 4.1 BJT 기본적인 도식도
4. 實驗 절차 및 결과
저항계를 사용한 바이폴라 transistor의 단자 확인
0.7V보다 큰 내부 전압원을 갖는 저항계를 이용하면 transistor의 단자를 확인할 수 있다 저항계는 극성을 갖고 있으므로 일단 다이오드에 적용하여 저항계의 극성을 확인하는 것이 좋다. PN 다이오드에서 띠가 둘러진 쪽이 음극(n type, cathode)에 해당됨을 상기하라. B-E 접합과 B-C 접합은 저항계를 순방향으로 연결시 유한한 저항값을 보이는 반면, 역으로 연결하거나 E-C사이를 측정(measurement)하면 저항값이 거의 무한대로 나올 것이다. 이러한 사실을 이용하면 저항계로 바이폴라 transistor의 타입과 단자를 확인할 수 있다
이제 transistor를 옴미터로 측정(measurement)하여 transistor의 타입(npn vs pnp)과 각각의 핀들을 확인하여라. 양쪽의 극성에 대해 컬렉터와 에미터 사이의 저항 값은 무한대라는 것을 주목하고 측정(measurement)을 해 보도록 한다. 일반적으로 B-C 접합의 단면적이 B-E 접합보다 크기 때문에 저항값은 작게 나온다.